Electrical switching of ferro-rotational order in nanometre-thick 1T-TaS2 crystals

电场 纳米 材料科学 旋转对称性 磁畴壁(磁性) 凝聚态物理 成核 相变 纳米技术 物理 磁场 磁化 机械 量子力学 复合材料 热力学
作者
Gan Liu,Tianyu Qiu,Kuanyu He,Yizhou Liu,Dongjing Lin,Zhen Ma,Zhentao Huang,Wenna Tang,Jie Xu,Kenji Watanabe,Takashi Taniguchi,Libo Gao,Jinsheng Wen,Jun‐Ming Liu,Binghai Yan,Xiaoxiang Xi
出处
期刊:Nature Nanotechnology [Nature Portfolio]
卷期号:18 (8): 854-860 被引量:24
标识
DOI:10.1038/s41565-023-01403-5
摘要

Hysteretic switching of domain states is a salient characteristic of all ferroic materials and the foundation for their multifunctional applications. Ferro-rotational order is emerging as a type of ferroic order that features structural rotations, but control over state switching remains elusive due to its invariance under both time reversal and spatial inversion. Here we demonstrate electrical switching of ferro-rotational domain states in the charge-density-wave phases of nanometre-thick 1T-TaS2 crystals. Cooling from the high-symmetry phase to the ferro-rotational phase under an external electric field induces domain state switching and domain wall formation, which is realized in a simple two-terminal configuration using a volt-scale bias. Although the electric field does not couple with the order due to symmetry mismatch, it drives domain wall propagation to give rise to reversible, durable and non-volatile isothermal state switching at room temperature. These results offer a route to the manipulation of ferro-rotational order and its nanoelectronic applications.
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