Electronic properties of tin dichalcogenides (SnS2 and SnSe2)

极化率 离子键合 化学 带隙 半导体 凝聚态物理 晶格常数 马德隆常数 谱线 热力学 计算化学 晶格能 结晶学 离子 晶体结构 物理 量子力学 有机化学 分子 衍射
作者
V. P. Gupta,Priyanka Agarwal,Ashok K. Gupta,Vikas Srivastava
出处
期刊:Journal of Physics and Chemistry of Solids [Elsevier]
卷期号:43 (3): 291-295 被引量:13
标识
DOI:10.1016/0022-3697(82)90192-5
摘要

Using Phillips and Van Vechten's theory the homopolar gap (Eh), ionic gap (Ec) and Penn gap (Ep) have been derived for the layered compound semiconductors SnS2 and SnSe2. The values of Ep so derived have been found to be in agreement with the values obtained from the Grimes-Cowley modification of the Penn model, and also with the reflectance spectra of the respective materials. Using the above data the Phillips ionicity has been calculated and the octahedral coordination of SnS2 and SnSe2 has been discussed on the basis of the calculated value of ionicity. The bond electronic polarizability has been evaluated using Chemla's approach and the values so obtained have been found in agreement with the values obtained from the Clausius-Mossottirelation. The Varshni formula has been shown to explain fairly well the temperature dependence of energy gap and the constants involved have been derived. The calculated isobaric temperature gradient of Eg[(∂Eg∂T)p] has been found to be in accordance with the reported values, and the electron lattice interaction has been evaluated.

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