Conductively Cooled 637-nm InGaP Broad-Area Lasers and Laser Bars With Conversion Efficiencies Up to 37% and a Small Vertical Far Field of 30$^{\circ}$

激光器 材料科学 包层(金属加工) 光电子学 二极管 光学 边坡效率 毫米 半导体激光器理论 半最大全宽 能量转换效率 连续波 物理 光纤激光器 冶金
作者
Christian Kaspari,B. Sumpf,M. Zorn,JÖrg Fricke,P. Ressel,Katrin Paschke,M. Weyers,G. Erbert
出处
期刊:IEEE Photonics Technology Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:20 (22): 1824-1826 被引量:9
标识
DOI:10.1109/lpt.2008.2004352
摘要

Highly efficient operation of 637-nm broad-area (BA) laser diodes and laser bars with a small vertical far field of 30 deg (full-width at half-maximum) is reported. The laser structure consists of an InGaP quantum well embedded in AlGaInP waveguide layers and n-AlInP and p-AlGaAs cladding layers. Single BA emitters with a stripe width of 30 mum emitted a maximum continuous-wave (CW) power of 540 mW at 15degC. Six-millimeter-wide laser bars with 12 30- mum-wide emitters (filling factor of 6%) reached CW power levels of 5.4 W at 15degC. The maximum conversion efficiency of single lasers and laser bars at 15deg C was 37% and 31%, respectively.
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