Growth of Millimeter Size B6O Single Crystals in a B-H3BO3 System at High Pressure and High Temperature

微晶 光致发光 带隙 材料科学 直接和间接带隙 单晶 静水压力 分析化学(期刊) 化学 结晶学 热力学 光电子学 物理 色谱法 有机化学
作者
Yunxia Han,Duanwei He,Dejiang Ma,Qiming Wang,Yusheng Zhao,Shanmin Wang,Mingquan Jiang,Xin Li,Jiawei Zhang
出处
期刊:Crystal Growth & Design [American Chemical Society]
卷期号:20 (6): 3732-3736 被引量:3
标识
DOI:10.1021/acs.cgd.0c00010
摘要

We report high-pressure synthesis of single-crystal boron suboxide (B6O), one of the superhard materials, using a reaction route between B and H3BO3 at 3–5.5 GPa and 600–2200 °C. At optimized pressure and temperature conditions of 5.5 GPa and 2100 °C, large B6O single crystals can be obtained with a crystallite size of more than 2 mm. Boric acid (H3BO3) was used as a starting material because it is easily decomposed into B2O3 and H2O at a lower temperature. The B2O3 produced by the decomposition should have a small particle size and thus have high reactivity, and the reaction byproduct H2O provides a good hydrostatic environment for the growth of B6O. Therefore, it is easier to synthesize and grow B6O by using a B-H3BO3 system as reaction raw materials. This work discussed the B6O growth mechanism in detail. In addition, photoluminescence experiments and first-principles calculations show that B6O is a direct band gap semiconductor material with good orange-red emission characteristics (the band gap is 1.83 eV). The results of this study indicate a method to grow large B6O single crystals that have great potential use in industrial applications.
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