van der Waals Stacking-Determined Polymorphs of Quasi-One-Dimensional BiSCl Grown by Chemical Vapor Deposition

堆积 范德瓦尔斯力 拉曼光谱 化学气相沉积 结合能 结晶学 材料科学 带隙 化学 纳米技术 分子 原子物理学 光学 物理 光电子学 有机化学
作者
Biao Zeng,Lingyan Lu,Ming Chen,Shuwen Zhao,Ruiwen Dai,Zhengyang Zhou,Jiawei Zhang,Dongzhou Ding,Guoqing Xin,Yi‐Yang Sun
出处
期刊:Journal of Physical Chemistry Letters [American Chemical Society]
卷期号:15 (31): 7939-7944
标识
DOI:10.1021/acs.jpclett.4c01923
摘要

We report chemical vapor deposition (CVD) synthesis of two quasi-one-dimensional (quasi-1D) polymorphs of BiSCl, denoted by y-BiSCl and r-BiSCl. The length of the CVD samples can reach about 0.4 mm. Such quasi-1D samples of the two polymorphs can be readily separated into individual pieces for either characterization or application. The two polymorphs can be clearly differentiated by Raman spectroscopy. First-principles calculations and group analysis are used to assign each Raman peak to the corresponding vibrational mode. Ultraviolet–visible measurements on solution grown thin-film samples reveal that the two polymorphs exhibit significantly different band gaps of 2.08 eV (y-BiSCl) and 1.81 eV (r-BiSCl). First-principles calculation further shows that the interatomic chain binding energy is 18.1 meV/Å2, confirming that the van der Waals stacking determines the difference in their band gaps. Our findings highlight the possibility of realizing the desired functionalities in quasi-1D materials by controlling stacking orientation.
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