ZnO/SrTiO3, ZnO/WO3, and ZnO/Zn2SnO4 Bilayer as Electron Transport Layers for Lead Sulfide Colloidal Quantum Dots Solar Cells

材料科学 非阻塞I/O 量子点 硫化铅 太阳能电池 载流子 基质(水族馆) 光电子学 图层(电子) 双层 硫化锌 纳米技术 化学 生物化学 冶金 海洋学 地质学 催化作用
作者
Rabia Bashir,Muhammad BILAL,Amna Bashir,Sana Ullah Asif,Yicheng Peng
出处
期刊:Small [Wiley]
标识
DOI:10.1002/smll.202402500
摘要

Abstract In order to enhance the overall efficiency of colloidal quantum dots solar cells, it is crucial to suppress the recombination of charge carriers and minimize energy loss at the interfaces between the transparent electrode, electron transport layer (ETL), and colloidal quantum dots (CQDs) light‐absorbing material. In the current study, ZnO/SrTiO 3 (STO), ZnO/WO 3 (TO), and ZnO/Zn 2 SnO 4 (ZTO) bilayers are introduced as an ETL using a spin‐coating technique. The ZTO interlayer exhibits a smoother surface with a root‐mean‐square (RMS) value of ≈ 3.28 nm compared to STO and TO interlayers, which enables it to cover the surface of the ITO/ZnO substrate entirely and helps to prevent direct contact between the CQDs absorber layer and the ITO/ZnO substrate, thereby effectively preventing efficient charge recombination at the interfaces of the ETL/CQDs. Furthermore, the ZTO interlayer possesses superior electron mobility, a higher visible light transmission, and a suitable energy band structure compared to STO and TO. These characteristics are advantageous for extracting charge carriers and facilitating electron transport. The PbS CQDs solar cell based on the ITO/ZnO/ZTO/PbS‐FABr/PbS‐EDT/NiO/Au device configuration exhibits the highest efficiency of 15.28%, which is significantly superior than the ITO/ZnO/PbS‐FABr/PbS‐EDT/NiO/Au solar cell device (PCE = 14.38%). This study is anticipated to offer a practical approach to develop ultrathin and compact ETL for highly efficient CQDSCs.
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