Arising applications of ferroelectric materials in photovoltaic devices

铁电性 材料科学 光电子学 光电流 带隙 异质结 光伏系统 光电效应 极化(电化学) 工程物理 电气工程 电介质 工程类 化学 物理化学
作者
Yongbo Yuan,Zhengguo Xiao,Bin Yang,Jinsong Huang
出处
期刊:Journal of materials chemistry. A, Materials for energy and sustainability [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:2 (17): 6027-6041 被引量:437
标识
DOI:10.1039/c3ta14188h
摘要

The ferroelectric-photovoltaic (FE-PV) device, in which a homogeneous ferroelectric material is used as a light absorbing layer, has been investigated during the past several decades with numerous ferroelectric oxides. The FE-PV effect is distinctly different from the typical photovoltaic (PV) effect in semiconductor p–n junctions in that the polarization electric field is the driving force for the photocurrent in FE-PV devices. In addition, the anomalous photovoltaic effect, in which the voltage output along the polarization direction can be significantly larger than the bandgap of the ferroelectric materials, has been frequently observed in FE-PV devices. However, a big challenge faced by the FE-PV devices is the very low photocurrent output. The research interest in FE-PV devices has been re-spurred by the recent discovery of above-bandgap photovoltage in materials with ferroelectric domain walls, electric switchable diodes and photovoltaic effects, tip-enhanced photovoltaic effects at the nanoscale, and new low-bandgap ferroelectric materials and device design. In this feature article, we reviewed the advance in understanding the mechanisms of the ferroelectric photovoltaic effects and recent progress in improving the photovoltaic device performance, including the emerging approaches of integrating the ferroelectric materials into organic heterojunction photovoltaic devices for very high efficiency PV devices.
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