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电压
计算机科学
作者
Hee Taek Yi,Y. Chen,K. Czelen,Vitaly Podzorov
标识
DOI:10.1002/adma.201103305
摘要
A novel vacuum lamination approach to fabrication of high-performance single-crystal organic field-effect transistors has been developed. The non-destructive nature of this method allows a direct comparison of field-effect mobilities achieved with various gate dielectrics using the same single-crystal sample. The method also allows gating delicate systems, such as n -type crystals and SAM-coated surfaces, without perturbation.
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