Optical Properties and Light-Emission Device Applications of 2-D Layered Semiconductors

激光阈值 光电子学 光发射 半导体 发光二极管 材料科学 联轴节(管道) 堆积 二极管 异质结 自发辐射 受激发射 半导体激光器理论 激光器 工程物理 光学 物理 波长 核磁共振 冶金
作者
Yongzhuo Li,Hao Sun,Lin Gan,Jianxing Zhang,Jiabin Feng,Danyang Zhang,Cun‐Zheng Ning
出处
期刊:Proceedings of the IEEE [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:108 (5): 676-703 被引量:29
标识
DOI:10.1109/jproc.2019.2936424
摘要

Two-dimensional layered semiconductors have attracted a great deal of attention recently from many fields of science and technology. This article overviews the major progress from the perspective of light-emission properties and related device applications of such 2-D materials. We begin with the overview of basic optical properties, including emission features of various excitonic complexes, many-body effects, light-emission enhancement due to plasmonic coupling, and mechanisms of optical gain. This is followed by discussions of coupling of 2-D materials with an optical cavity, including cavity-enhanced emission due to the Purcell effect, strong and weak coupling, as well as lasing behavior. We then discuss the design and the fabrication of various heterostructures by stacking layers of different 2-D materials for the purpose of confining and injecting charge carriers. Such structures are indispensable for light-emitting devices under electrical injection, the ultimate goal of any semiconductor-based light-emitting diode (LED) or lasers. The progress in electrical injection devices is reviewed next, where LEDs under lateral and vertical electrical injection schemes are discussed. The review is concluded with an outlook and future perspectives.

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