Current-collapse-free operations up to 850 V by GaN-GIT utilizing hole injection from drain

晶体管 电流(流体) 电压 电极 排水诱导屏障降低 电气工程 材料科学 功率(物理) 逻辑门 光电子学 阈值电压 化学 工程类 物理 物理化学 量子力学
作者
Saichiro Kaneko,Masayuki Kuroda,Manabu Yanagihara,Ayanori Ikoshi,Hideyuki Okita,Tatsuo Morita,Kenichiro Tanaka,Masahiro Hikita,Yasuhiro Uemoto,Satoru Takahashi,Tetsuzo Ueda
出处
期刊:International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 卷期号:: 41-44 被引量:160
标识
DOI:10.1109/ispsd.2015.7123384
摘要

Current collapse at high drain voltage in a GaN-based transistor is successfully suppressed by the introduction of p-GaN region which is placed beside the drain of a Gate Injection Transistor (GIT). The additional p-GaN region enables hole injection which effectively releases trapped electrons at around drain region after the application of high drain voltages. The p-GaN region is electrically connected to the drain electrode so that this is named as Hybrid Drain-embedded GIT (HD-GIT). The fabricated HD-GITs are free from current collapse at 850 V of the drain voltage or over, which significantly helps to achieve stable system operations and is very promising for future switching power supply applications.
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