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Electronic States and Magnetic Response of MnBi2Te4 by Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy

拓扑绝缘体 凝聚态物理 扫描隧道显微镜 磁性 反铁磁性 表面状态 扫描隧道光谱 材料科学 磁矩 电子结构 磁力显微镜 准粒子 光谱学 磁化 物理 超导电性 磁场 曲面(拓扑) 几何学 量子力学 数学
作者
Yonghao Yuan,Xintong Wang,Hao Li,Jiaheng Li,Yu Ji,Zhenqi Hao,Yang Wu,Ke He,Yayu Wang,Yong Xu,Wenhui Duan,Wei Li,Qi‐Kun Xue
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:20 (5): 3271-3277 被引量:85
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.0c00031
摘要

Exotic quantum phenomena have been demonstrated in recently discovered intrinsic magnetic topological insulator MnBi2Te4. At its two-dimensional limit, the quantum anomalous Hall effect and axion insulator state were observed in odd and even layers of MnBi2Te4, respectively. Here, we employ low-temperature scanning tunneling microscopy to study the electronic properties of MnBi2Te4. The quasiparticle interference patterns indicate that the electronic structures on the topmost layer of MnBi2Te4 are different from those of the expected out-of-plane A-type antiferromagnetic phase. The topological surface states may be embedded in deeper layers beneath the topmost surface. Such novel electronic structure is presumably related to the modification of crystalline structure during sample cleaving and reorientation of the magnetic moment of Mn atoms near the surface. Mn dopants substituted at the Bi site on the second atomic layer are observed. The electronic structures fluctuate at atomic scale on the surface, which can affect the magnetism of MnBi2Te4.
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