材料科学
缓冲器(光纤)
图层(电子)
太阳能电池
化学工程
工程物理
光电子学
纳米技术
电气工程
物理
工程类
作者
Huafei Guo,Zhiwen Chen,Xin Wang,Qingfei Cang,Changhao Ma,Xuguang Jia,Huafei Guo,Jianning Ding
摘要
A Sb2Se3 device based on SnO2 with the highest efficiency has been obtained by adding ultrathin CdS between the FTO and SnO2 film.
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