Modification of n‐Type Organic Semiconductor Performance of Perylene Diimides by Substitution in Different Positions: Two‐Dimensional π‐Stacking and Hydrogen Bonding

双极扩散 电子迁移率 堆积 有机半导体 化学 电子转移 氢键 结晶学 电子 化学物理 光化学 材料科学 分子 光电子学 有机化学 物理 量子力学
作者
Mingxing Zhang,G. Zhao
出处
期刊:Chemsuschem [Wiley]
卷期号:5 (5): 879-887 被引量:108
标识
DOI:10.1002/cssc.201100510
摘要

Abstract Perylene diimides (PDIs) and their derivatives are active n ‐type semiconducting materials widely used in organic electronic devices. A series of PDI derivatives have been investigated by quantum chemistry calculations combined with Marcus–Hush electron‐transfer theory. The substitution of three different sites of a PDI induces large changes in its electron‐transfer mobility. 2,5,8,11‐Tetrachloro‐PDI with four chlorine atoms in ortho positions shows both large electron‐ and hole‐transfer mobilities of 0.116 and 0.650 cm 2 V −1 s −1 , respectively, indicative of a potentially highly efficient ambipolar organic semiconducting material. The calculated electron‐transfer mobility of 1,6,7,12‐tetrachloro‐PDI is 0.081 cm 2 V −1 s −1 , which is in good agreement with the experimental result. Octachloro‐PDIs have the largest electron mobility among these derivatives, although the π system of the central core is twisted. 2D π‐stacking and hydrogen bonds formed at the imide positions are responsible for the large mobility. Simulated anisotropic transport mobility curves of these materials prove the magnitude of the mobility that appears when the measuring transistor channel is along the a ‐axis of the crystal, which is the direction of hydrogen bond formation.
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