Formation of a Positive Photoresist Thin Film by Spin Coating: Influence of Atmospheric Humidity

光刻胶 纺纱 薄脆饼 湿度 旋涂 相对湿度 材料科学 复合材料 涂层 流出 化学 纳米技术 气象学 图层(电子) 物理
作者
Toshio Yada,Taro Maejima,Masaru Aoki
出处
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 卷期号:36 (11R): 7041-7041 被引量:3
标识
DOI:10.1143/jjap.36.7041
摘要

Experimental film formation of a positive photoresist by spin coating at various atmospheric humidities was investigated. The temperature of the photoresist solution outside of the wafer increases during the intermediate stages of the spinning process in proportion to the humidity and decreases during the later stages. The baked films formed at higher humidities are thinner than those formed at lower humidities during the first stage of the spinning process due to the initial high outflow rate, but thick films are formed during the later stages of the spinning process due to the low outflow rate. The minimum thickness deviation, which is in the intermediate stage of the spinning process, increases at a high humidity with increased distinction at lower spin speeds.
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