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作者
Yingxin Cui,Xiaobo Hu,Xuejian Xie,Rongkun Wang,Xiangang Xu
出处
期刊:CrystEngComm
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2017-01-01
卷期号:19 (27): 3844-3849
被引量:19
摘要
Basal plane bending of on- and off-axis 4H-SiC substrates was measured by high-resolution X-ray diffractometry (HRXRD).
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