High-peak-power optically pumped passively mode-locked semiconductor laser with minimal components

光学 激光器 材料科学 半导体激光器理论 半导体 功率(物理) 模式锁定 光电子学 激光功率缩放 物理 量子力学
作者
Y. H. Hsu,Peng Cheng,Songbai Lin,Hsing-Chih Liang,K. F. Huang,Y. F. Chen
出处
期刊:Optics Letters [The Optical Society]
卷期号:48 (16): 4324-4324 被引量:1
标识
DOI:10.1364/ol.498852
摘要

A high-peak-power sub-500-fs mode-locked optically pumped semiconductor laser is innovatively developed with only three components of a semiconductor gain chip, a semiconductor saturable absorber, and a focusing lens. The developed laser near the threshold pump power of 3.9 W can be operated with stable fundamental mode locking. The laser output can be naturally turned into the stable harmonic mode locking (HML) with the order gradually changing from 2nd to 8th by increasing the pump power from 4.0 W to 5.0 W. Due to the onset of the high-order transverse modes, the order of HML is fixed at 8th for a pump power greater than 5.0 W. For the HML with order less than 8th, the overall peak power and pulse width in the HML are approximately 0.36 kW and 550 fs, respectively. In the operation of 8th-order HML, the minimum pulse width and maximum peak power can reach 480 fs and 0.95 kW, respectively.

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