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Theory of Quantum Anomalous Hall Phases in Pentalayer Rhombohedral Graphene Moiré Structures

凝聚态物理 量子霍尔效应 物理 石墨烯 分数量子霍尔效应 电子能带结构 氮化硼 符号(数学) 电子 霍尔效应 量子自旋霍尔效应 材料科学 磁场 量子力学 纳米技术 数学分析 数学
作者
Zhihuan Dong,Adarsh S. Patri,T. Senthil
出处
期刊:Physical Review Letters [American Physical Society]
卷期号:133 (20) 被引量:7
标识
DOI:10.1103/physrevlett.133.206502
摘要

Remarkable recent experiments on the moir\'e structure formed by pentalayer rhombohedral graphene aligned with a hexagonal boron nitride substrate report the discovery of a zero field fractional quantum Hall effect. These ``(fractional) quantum anomalous Hall'' [(F)QAH] phases occur for one sign of a perpendicular displacement field, and correspond, experimentally, to full or partial filling of a valley polarized Chern-1 band. Such a band is absent in the noninteracting band structure. Here we show that electron-electron interactions play a crucial role, and present microscopic theoretical calculations demonstrating the emergence of a nearly flat, isolated, Chern-1 band and FQAH phases in this system. We also study the four- and six-layer analogs and identify parameters where a nearly flat isolated Chern-1 band emerges which may be suitable to host FQAH physics.
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