Ni/Pd-based ohmic contacts to p-GaN through p-InGaN/p+-GaN contacting layers

欧姆接触 材料科学 退火(玻璃) 接触电阻 金属 电流密度 薄板电阻 分析化学(期刊) 光电子学 纳米技术 图层(电子) 冶金 化学 物理 色谱法 量子力学
作者
Minglong Zhang,Masao Ikeda,Siyi Huang,Jianping Liu,Jianjun Zhu,Shuming Zhang,Hui Yang
出处
期刊:Journal of Semiconductors [IOP Publishing]
卷期号:43 (9): 092803-092803 被引量:5
标识
DOI:10.1088/1674-4926/43/9/092803
摘要

Abstract Specific contact resistance to p-GaN was measured for various structures of Ni/Pd-based metals and thin (20–30 nm thick) p-InGaN/p + -GaN contacting layers. The effects of surface chemical treatment and annealing temperature were examined. The optimal annealing temperature was determined to be 550 °C, above which the sheet resistance of the samples degraded considerably, suggesting that undesirable alloying had occurred. Pd-containing metal showed ~35% lower compared to that of single Ni. Very thin (2–3.5 nm thick) p-InGaN contacting layers grown on 20–25 nm thick p + -GaN layers exhibited one to two orders of magnitude smaller values of compared to that of p + -GaN without p-InGaN. The current density dependence of , which is indicative of nonlinearity in current-voltage relation, was also examined. The lowest achieved through this study was 4.9 × 10 –5 Ω·cm 2 @ J = 3.4 kA/cm 2 .
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