Change in charge state of NV center caused by monovacancy formation

空位缺陷 钻石 氮气 电子 原子物理学 电荷(物理) 电子束处理 辐照 化学 Crystal(编程语言) 结晶学 物理 核物理学 有机化学 量子力学 计算机科学 程序设计语言
作者
Chikara Shinei,Hiroshi Abe,Takeshi Ohshima,Tokuyuki Teraji
出处
期刊:Diamond and Related Materials [Elsevier BV]
卷期号:140: 110523-110523
标识
DOI:10.1016/j.diamond.2023.110523
摘要

Effects of monovacancy formation on the charge states of nitrogen vacancy (NV) centers in nitrogen-doped diamond single crystal were investigated. Monovacancies are formed using high-energy electron beam irradiation. The ratio of the concentration of negatively charged nitrogen vacancy (NV−) centers to the total concentration of NV− centers and neutral nitrogen vacancy (NV0) centers decreases with increased concentration of monovacancies. This decrease occurs because of the reduction of the concentration of neutral substitutional nitrogen [Ns0] donating electrons to NV0 centers. Findings indicate that numerous electrons of Ns0 are transferred preferentially to monovacancies, not to NV0 centers.
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