高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
氮化镓
电气工程
晶体管
纳米技术
工程类
电压
图层(电子)
作者
Hanchao Li,Hanlin Xie,Qingyun Xie,Siyu Liu,Yue Wang,Yuxuan Wang,Kumud Ranjan,Yihao Zhuang,Xiao Gong,Geok Ing Ng
出处
期刊:IEEE Electron Device Letters
[Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期:2024-01-01
卷期号:: 1-1
标识
DOI:10.1109/led.2024.3483888
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