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作者
Yuxuan Shen,Meng Zhang,Siyuan He,Le Bian,Jiaxin Liu,Zhengyu Chen,Shuangmei Xue,Ye Zhou,Yan Yan
摘要
This review summarizes and discusses existing literature on reliability issues of amorphous oxide semiconductor thin-film transistors. The investigation focuses on bias stress, electro-static discharge, bending, and radiation reliability.
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