Ultrahigh-quality-factor silicon-on-insulator microring resonator

绝缘体上的硅 谐振器 材料科学 光学 弯曲半径 Q系数 波导管 光电子学 低语长廊波浪 半径 半导体 硅光子学 弯曲 物理 复合材料 计算机科学 计算机安全
作者
J. Niehusmann,A. Vörckel,P. Haring Bolívar,T. Wahlbrink,W. Henschel,H. Kurz
出处
期刊:Optics Letters [The Optical Society]
卷期号:29 (24): 2861-2861 被引量:283
标识
DOI:10.1364/ol.29.002861
摘要

The development of ultrahigh-quality-factor (Q) silicon-on-insulator (SOI) microring resonators based on silicon wire waveguides is presented. An analytical description is derived, illustrating that in addition to low propagation losses the critical coupling condition is essential for optimizing device characteristics. Propagation losses as low as 1.9 +/- 0.1 dB/cm in a curved waveguide with a bending radius of 20 microm and a Q factor as high as 139.000 +/- 6.000 are demonstrated. These are believed to be the highest values reported for a curved SOI waveguide device and for any directly structured semiconductor microring fabricated without additional melting-induced surface smoothing.
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