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作者
Jian Zhang,Wei-xian Zhao,Canhui Qian,Yan Cui,Yong-Hua Li,Wei Chen,Li Jin,Huajie Huang,Xing’ao Li,Xinbao Zhu
出处
期刊:Dalton Transactions
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2023-01-01
卷期号:52 (36): 12899-12908
被引量:2
摘要
The surface V S in CoS x @In 2 S 3 enhances the charge-separation efficiency of In 2 S 3 through rearranging the electrons of the In 2 S 3 basal plane, in addition to improving the electron-transfer efficiency.
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