Extremely Thermal Stable Ni/W/TaSi<sub>2</sub>/Pt Simultaneous Ohmic Contacts to n-Type and p-Type 4H-SiC

欧姆接触 覆盖层 材料科学 俄歇电子能谱 热稳定性 分析化学(期刊) 光电子学 纳米技术 化学工程 图层(电子) 化学 物理化学 色谱法 物理 工程类 核物理学
作者
Yan Liang Li,Yi Meng Zhang,Xiao Tang,Tao Guo,Yu Ming Zhang
出处
期刊:Materials Science Forum 卷期号:924: 401-404 被引量:2
标识
DOI:10.4028/www.scientific.net/msf.924.401
摘要

Studying the ohmic contacts formed on ion-implanted SiC layers is fundamental to understand and to predict the behavior of practical devices. Ohmic contacts to n- (1×10 19 cm −3 ) and p-type (1×10 20 cm −3 ) ion-implanted 4H-SiC using Ni/W/TaSi 2 /Pt were investigated. No degradation of the specific contact resistance nor a minute change of the surface morphologies was observed after 300 h of 500 oC thermal treatment in air. From auger electron spectroscopy (AES) depth profiles, it was found that the oxidation of the protective platinum silicide overlayer significantly slowed down further migration of oxygen to the SiC interface. In addition, Pt and W played the role of mutual blocking, which guarantees the stability of the contact. This research suggests that the contacts are very promising for applications in harsh environments, where the simultaneously completed both on n-and p-type stability ohmic contacts is crucial.
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