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One-step hydrothermal synthesis of marigold flower-like nanostructured MoS2 as a counter electrode for dye-sensitized solar cells

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作者
R. Senthilkumar,S. Ramakrishnan,Murali Balu,Praveen C. Ramamurthy,Duraisamy Kumaresan,Nikhil K. Kothurkar
出处
期刊:Journal of Solid State Electrochemistry [Springer Science+Business Media]
卷期号:22 (11): 3331-3341 被引量:27
标识
DOI:10.1007/s10008-018-4043-7
摘要

MoS2 thin films with marigold flower-like nanostructures were grown on conductive fluorine-doped tin oxide (FTO) substrates through a one-step hydrothermal synthesis for their application as counter electrodes (CEs) in dye-sensitized solar cells (DSSCs). Different MoS2 thin film samples (A–D) were grown on FTO slides using different concentrations of precursors (sodium molybdate and thioacetamide), while keeping the Mo/S molar ratio constant (1:4.6), in all samples. The effect of varying precursor concentrations (3.2–12.6 mM on MoS2 basis) on the structure of the nanostructured thin films and their performance as DSSC-CEs was investigated. Scanning electron microscopy revealed a material with an infolded petal-like morphology. With increasing precursor concentration, the petal-like structures tended to form bunched nanostructures (100–300 nm) resembling marigold flowers. X-ray diffraction analysis, X-ray photoelectron, and Raman spectroscopy studies showed that the thin films were composed of hexagonal MoS2 with good crystallinity. Hall effect measurements revealed MoS2 to be a p-type semiconductor with a carrier mobility of 219.80 cm2 V−1 s−1 at room temperature. The electrochemical properties of the thin films were examined using cyclic voltammetry and electrochemical impedance spectroscopy. The marigold flower-like MoS2 thin films showed excellent electrocatalytic activity towards the I¯/I3¯ reaction and low charge transfer resistance (Rct) values of 14.77 Ω cm−1, which was close to that of Pt electrode (12.30 Ω cm−1). The maximum power conversion efficiency obtained with MoS2 CE-based DSSCs was 6.32%, which was comparable to a Pt CE-based DSSC (6.38%) under one sun illumination. Similarly, the maximum incident photon-to-charge carrier efficiency exhibited by MoS2 CE-based DSSCs was 65.84%, which was also comparable to a Pt CE-based DSSC (68.38%). The study demonstrated that the marigold flower-like nanostructured MoS2 films are a promising alternative to the conventional Pt-based CEs in DSSCs.
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