Dangling Octahedra Enable Edge States in 2D Lead Halide Perovskites

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作者
Yan Qin,Zhigang Li,Feifei Gao,Haisheng Chen,Xiang Li,Bin Xu,Qian Li,Xingxing Jiang,Wei Li,Xiang Wu,Zewei Quan,Lei Ye,Yang Zhang,Zheshuai Lin,Laurent Pédesseau,Jacky Even,Peixiang Lu,Xian‐He Bu
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:34 (29): e2201666-e2201666 被引量:44
标识
DOI:10.1002/adma.202201666
摘要

Abstract The structural reconstruction at the crystal layer edges of 2D lead halide perovskites (LHPs) leads to unique edge states (ES), which are manifested by prolonged carrier lifetime and reduced emission energy. These special ES can effectively enhance the optoelectronic performance of devices, but their intrinsic origin and working mechanism remain elusive. Here it is demonstrated that the ES of a family of 2D Ruddlesden–Popper LHPs [BA 2 CsPb 2 Br 7 , BA 2 MAPb 2 Br 7 , and BA 2 MA 2 Pb 3 Br 10 (BA = butylammonium; MA = methylammonium)] arise from the rotational symmetry elevation of the PbBr 6 octahedra dangling at the crystal layer edges. These dangling octahedra give rise to localized electronic states that enable an effective transport of electrons from the interior to layer edges, and the population of electrons in both the interior states and the ES can be manipulated via controlling the external fields. Moreover, the abundant phonons, activated by the dangling octahedra, can interact with electrons to facilitate radiative recombination, counterintuitive to the suppressive role commonly observed in conventional semiconductors. This work unveils the intrinsic atomistic and electronic origins of ES in 2D LHPs, which can stimulate the exploration of ES‐based exotic optoelectronic properties and the corresponding design of high‐performance devices for these emergent low‐dimensional semiconductors.
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