Tailoring the electrical and thermal transport properties of LaCoO3 ceramic by band engineering and Fermi energy optimization via isovalent Al-substitution for thermoelectric application

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作者
Mohamed Jibri K. P.,S. Harish,J. Archana,M. Navaneethan
出处
期刊:Journal of Physics D [Institute of Physics]
卷期号:55 (38): 385501-385501 被引量:4
标识
DOI:10.1088/1361-6463/ac7bb6
摘要

Abstract Recognizing high performance thermoelectric (TE) ceramics is challenging due to high thermal conductivity and interdependent electrical and thermal transport properties. Herein we report the strategy of isovalent Al substitution in LaCoO 3 , which resulted in the enhancement of electrical conductivity by band engineering and increased charge carrier mobility via effective mass and Fermi energy optimization. The Al substitution in LaCoO 3 not only enhances the electrical transport properties but also decrease the lattice thermal conductivity through enhanced phonon scattering originated from the lattice strain induced by huge mass fluctuation of Co and substituted Al atom. The results indicate that the electrical conductivity increase with increasing the Al substitution and the maximum value of 642 S cm −1 was observed at 753 K and the maximum power factor (73.3 µ W m −1 K −2 ) was achieved at 703 K for the sample LaCo 0.97 Al 0.03 O 3 . The Al-substitution enhanced the charge carrier mobility from 0.21 cm 2 V −1 s −1 to 51.6 cm 2 V −1 s −1 by decreasing the effective mass from 28.76*m e to 12.76*m e . The decreased carrier concentration with Al substitution is due to the upward shift of Fermi energy towards the conduction band. The lowest thermal conductivity value (0.87 W m −1 K −1 ) was obtained at 303 K for the sample LaCo 0.95 Al 0.05 O 3 . The lattice thermal conductivity of LaCo 0.95 Al 0.05 O 3 (1.259 W m −1 K −1 ) was reduced about 48% when compared with pure LaCoO 3 (2.437 W m −1 K −1 ) at 753 K. The present work reveals the importance of decoupling the electrical and thermal transport properties in achieving high performance TE ceramics.

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