Anisotropic electronic transport properties in two-dimensional ferroelectric In2Se3 monolayer

单层 凝聚态物理 化学 电子结构 铁电性 动量(技术分析) 量子隧道 各向异性 结晶学 物理 量子力学 财务 生物化学 电介质 经济
作者
Zexiang Deng
出处
期刊:Chemical Physics [Elsevier BV]
卷期号:568: 111822-111822
标识
DOI:10.1016/j.chemphys.2023.111822
摘要

We investigate the electronic structure and electronic transport properties of two-dimensional (2D) In2Se3 monolayer, using density functional theory combined with the nonequilibrium Green’s function (NEGF) method. Two ferroelectric phases of In2Se3 monolayer with zincblende (ZB) and wurtzite (WZ) structures are included, along the zigzag (ZZ) and armchair (AC) directions, respectively. The current–voltage (I–V) characteristics show that the ZB In2Se3 monolayer along the ZZ direction is better for electronic transport. The voltage drop contour reveals that along the ZZ direction, the Se atom has 3 paths to the adjacent Se atoms, while along the AC direction, it reduces to 2 paths. The momentum-dependent transmission reveals that in the process of transformation from the left electrode to the right electrode, there are momentum exchanges among electrons, which is of importance to electronic transport.
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