Direct Phase-Change Cooling of Vapor Chamber Integrated With IGBT Power Electronic Module for Automotive Application

绝缘栅双极晶体管 材料科学 结温 电源模块 功率(物理) 计算机冷却 功率半导体器件 电气工程 电力电子 光电子学 散热片 汽车工程 电压 电子工程 可靠性(半导体) 动力循环
作者
Yiyi Chen,Bo Li,Xuehui Wang,Xin Wang,Yuying Yan,Xiang Li,Yangang Wang,Fang Qi,Helong Li
出处
期刊:IEEE Transactions on Power Electronics [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:36 (5): 5736-5747 被引量:2
标识
DOI:10.1109/tpel.2020.3031372
摘要

In electric vehicles and hybrid electric vehicles, insulated-gate bipolar transistor (IGBT) power module trends to dissipate higher heat flux due to increased power rating and reduced package size. An inefficient cooling method will result in stringent thermal reliability problems. Therefore, there is a strong need for innovative and efficient cooling technologies in order to tackle these issues. In this article, a localized direct phase-change cooling strategy is applied and integrated with direct bonded copper in IGBT power module. Vapor chamber with light weight, high thermal conductivity, and even temperature uniformity replaces original copper baseplate. Layers of thermal grease and original cooling plate are removed, leading to a further reduction in thermal resistance. In order to evaluate the new module, a thermal model and an experiment were built to analyze temperature distribution in layers, junction temperature, temperature uniformity, and thermal resistance. Results indicate the integrated thermal management system outperforms traditional cooling solutions on the cooling capacity. Improvements on junction temperature, temperature uniformity, and total thermal resistance are 34.6%, 76.6%, and 41.6%, respectively. The results illustrate the potential of phase-change cooling by vapor chamber. It provides a new perspective in the compact and efficient design of power electric modules.
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