Molecular beam epitaxy growth of quantum devices

分子束外延 制作 异质结 材料科学 光电子学 纳米技术 量子 外延 物理 图层(电子) 量子力学 医学 病理 替代医学
作者
Ke He
出处
期刊:Chinese Physics B [IOP Publishing]
卷期号:31 (12): 126804-126804 被引量:1
标识
DOI:10.1088/1674-1056/aca6d3
摘要

The inherent fragility and surface/interface-sensitivity of quantum devices demand fabrication techniques under very clean environment. Here, I briefly introduces several techniques based on molecular beam epitaxy growth on pre-patterned substrates which enable us to directly prepare in-plane nanostructures and heterostructures in ultrahigh vacuum. The molecular beam epitaxy-based fabrication techniques are especially useful in constructing the high-quality devices and circuits for solid-state quantum computing in a scalable way.
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