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Incorporation of N in p-type Zn-N-doped SnO2 films by varying N2 content in sputtering gas mixture

材料科学 溅射 兴奋剂 化学工程 纳米技术 冶金 薄膜 光电子学 工程类
作者
Ho Kim Dan,Minh Khang Pham,Huu Phuc Dang,Uy Lap Quach,Anh Tuan Dao,Tran Le
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:155: 107230-107230
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2022.107230

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