Intraband Luminescence from HgSe/CdS Core/Shell Quantum Dots

量子点 发光 材料科学 兴奋剂 退火(玻璃) 纳米技术 吸收(声学) 光电子学 胶体 壳体(结构) 光致发光 化学 复合材料 物理化学
作者
Zhiyou Deng,Philippe Guyot‐Sionnest
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:10 (2): 2121-2127 被引量:60
标识
DOI:10.1021/acsnano.5b06527
摘要

HgSe/CdS core/shell CQD are synthesized, and the changes in the optical absorption and luminescence are investigated. While HgSe quantum dots are naturally n-doped after synthesis, both as colloidal solutions and as films, the HgSe/CdS core/shell dots in solution lose the n-doping, as seen from the optical absorption in solution. However, n-doping is regained in films, and the intraband luminescence of the films of HgSe/CdS is greater than that of the cores. The shell also vastly improves the stability of the quantum dots films against sintering at 200 °C. After annealing at that temperature, the HgSe/CdS films retain a narrow intraband emission and sustain a higher laser power leading to brighter emission at 5 μm.
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