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2-D–3-D Switchable Gate Driver Circuit for TFT-LCD Applications

薄膜晶体管 液晶显示器 门驱动器 电气工程 波形 有源矩阵 电子线路 晶体管 材料科学 驱动电路 逻辑门 阈值电压 电压 移位寄存器 电子工程 光电子学 工程类 图层(电子) 复合材料
作者
Chih‐Lung Lin,Mao‐Hsun Cheng,Chun‐Da Tu,Chia-Che Hung,Jhin-Yu Li
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:61 (6): 2098-2105 被引量:35
标识
DOI:10.1109/ted.2014.2319096
摘要

This paper presents a novel 2-D-3-D switchable gate driver circuit for active-matrix liquid crystal displays (AMLCDs) applications using the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) technology. While consisting of 12 thin-film transistors (TFTs), the proposed gate driver circuit includes a pull-up circuit, two alternative circuits, and a key pull-down circuit. To provide a stable output waveform for switching between the 2-D and 3-D modes in AMLCD panel, the proposed circuit can improve the threshold voltage shift of a-Si:H TFT using reversed bias stress. Based on a real circuit integrated on glass with a standard five-mask process applied to a large-sized FHD TFT-LCD panel, the layout area of each gate driver circuit is 359.25 μm × 2296.25 μm. In addition, the power consumption of a 12-stage gate driver circuit is 3.25 and 7.21 mW, while operating at 2-D and 3-D modes, respectively. Measurement results indicate that the output waveform, including output voltage, rising time, and falling time can be stabilized and made almost equal to the initial state after the reliability test at 100 °C over 240 h.
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