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作者
Kitae Eom,Hanjong Paik,Jinsol Seo,Neil Campbell,Evgeny Y. Tsymbal,Sang Ho Oh,M. S. Rzchowski,Darrell G. Schlom,Chang‐Beom Eom
标识
DOI：10.1002/advs.202105652
摘要
The prospect of 2-dimensional electron gases (2DEGs) possessing high mobility at room temperature in wide-bandgap perovskite stannates is enticing for oxide electronics, particularly to realize transparent and high-electron mobility transistors. Nonetheless only a small number of studies to date report 2DEGs in BaSnO
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