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作者
Sushant Sonde,Bhaswar Chakrabarti,Yuzi Liu,Kiran Sasikumar,Jianqiang Lin,Liliana Stan,Ralu Divan,Leonidas E. Ocola,Daniel Rosenmann,Pabitra Choudhury,Kai Ni,Subramanian K. R. S. Sankaranarayanan,Suman Datta,Supratik Guha
出处
期刊：Nanoscale
[The Royal Society of Chemistry]
日期：2018-01-01
卷期号：10 (20): 9441-9449
被引量：29
摘要
Comprehensive criterion for electrode metal selection applicable to cationic filamentary devices enables a CMOS compatible Sn-based resistive switching memory.
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