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Few-Layered Defect-Rich MoS2 Nanosheets with Ni Doping as Catalysts for Efficient Hydrodesulfurization Reaction

加氢脱硫 催化作用 噻吩 材料科学 热液循环 掺杂剂 化学工程 惰性 硫黄 兴奋剂 吸附 密度泛函理论 纳米技术 无机化学 化学 有机化学 冶金 光电子学 计算化学 工程类
作者
Jiaxing Chen,Shufang Wu,Xinlin Zhang,Yongjun Liu
出处
期刊:ACS applied nano materials [American Chemical Society]
卷期号:6 (20): 18812-18822 被引量:7
标识
DOI:10.1021/acsanm.3c02953
摘要

Unsupported MoS2 nanosheets are promising hydrodesulfurization (HDS) catalysts that can effectively convert sulfur species in diesel to hydrocarbons and H2S during the production process of fossil fuels. However, the active site density of MoS2-based catalysts is limited due to the existence of a large amount of inert basal planes, hindering the improvement of MoS2 HDS activity. Herein, a strategy that combines defect control and metal doping is proposed to boost the catalytic activity of unsupported MoS2 nanosheets. By adjusting hydrothermal reaction conditions, few-layered defect-rich MoS2 (DR-MoS2(FL)) is synthesized to significantly enhance the HDS efficiency, which is further improved by incorporating Ni atoms in basal planes, achieving the highest thiophene conversion of 92.3% at 280 °C. Moreover, the Ni-doped DR-MoS2(FL) catalyst exhibits excellent stability with the high activity retained in the recycling reaction. The effect of Ni dopants on the electronic structure and adsorption behavior of the MoS2 basal planes is demonstrated by density functional theory calculation. This work reveals a facile method to tailor the basal planes with the formation of more Ni–Mo–S active sites for highly efficient MoS2 HDS catalysts.

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