Ligand Engineering Enables Efficient Pure Red Tin‐Based Perovskite Light‐Emitting Diodes

钙钛矿(结构) 材料科学 量子效率 结晶 配体(生物化学) 发光二极管 电致发光 化学工程 光电子学 纳米技术 化学 结晶学 冶金 受体 工程类 生物化学 图层(电子)
作者
Wenhao Bai,Mingming Liang,Tongtong Xuan,Ting Gong,Liang Bian,Huili Li,Rong‐Jun Xie
出处
期刊:Angewandte Chemie [Wiley]
卷期号:62 (50) 被引量:21
标识
DOI:10.1002/anie.202312728
摘要

With increasing ecological and environmental concerns, tin (Sn)-based perovskite light-emitting diodes (PeLEDs) are competitive candidates for future displays because of their environmental friendliness, excellent photoelectric properties, and low-cost solution-processed fabrication. Nonetheless, their electroluminescence (EL) performance still lags behind that of lead (Pb)-based PeLEDs due to the fast crystallization rate of Sn-based perovskite films and undesired oxidation from Sn2+ to Sn4+ , leading to poor film morphology and coverage, as well as high density defects. Here, we propose a ligand engineering strategy to construct high-quality phenethylammonium tin iodide (PEA2 SnI4 ) perovskite films by using L-glutathione reduced (GSH) as surface ligands toward efficient pure red PEA2 SnI4 -based PeLEDs. We show that the hydrogen-bond and coordinate interactions between GSH and PEA2 SnI4 effectively reduce the crystallization rate of the perovskites and suppress the oxidation of Sn2+ and formation of defects. The improved pure red perovskite films not only show excellent uniformity, density, and coverage but also exhibit enhanced optical properties and stability. Finally, state-of-the-art pure red PeLEDs achieve a record external quantum efficiency of 9.32 % in the field of PEA2 SnI4 -based devices. This work demonstrates that ligand engineering represents a feasible route to enhance the EL performance of Sn-based PeLEDs.
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