Interfacial Decoupling Layer Enabled Low-n Phase Enrichment for Blue Quasi-2D Perovskites

解耦(概率) 材料科学 相(物质) 图层(电子) 化学工程 光电子学 化学 纳米技术 有机化学 工程类 控制工程
作者
Jie Dong,Wenqiang Yang,Kayoung Cho,Jae‐Woo Jung,Huanyu Zhou,E. Yoon,Hao Chen,Hyeon‐Dong Lee,Seung Hyeon Jo,Jae‐Man Park,Qingsen Zeng,Tingyu Long,Kyung Yeon Jang,S. Chang,Chan‐Yul Park,Min‐Jun Sung,Joo Sung Kim,Hyeree Kim,Dandan Song,Xin Zhang
出处
期刊:ACS energy letters [American Chemical Society]
卷期号:: 5879-5887 被引量:3
标识
DOI:10.1021/acsenergylett.4c02351
摘要

The random n-monolayer phase distributions and impurity phases impose challenges to achieving blue-emission quasi-2D perovskite light emitting diodes (PeLEDs), and their formation mechanism is unclear. Here, we uncover the reasons behind the phase formation and distribution in blue-emission quasi-2D perovskites by probing into the molecular interactions at the buried interface between substrates and perovskites and propose a mechanistic model to depict the film formation process. Furthermore, an interfacial decoupling layer, perfluorinated ionomer, was employed to successfully mitigate the negative impact of substrates on the phase formation and distribution of blue-emission quasi-2D perovskites, resulting in an ordered phase distribution and a reduction of undesired phases. Besides, this interfacial layer effectively suppressed the nonradiative recombination losses, leading to enhanced photoluminescence quantum yield from 12.71% to 60.13% and notable blue shift (∼10 nm) even without incorporating Cl ions. As a result, blue PeLEDs based on this strategy achieved an external quantum efficiency reaching 12.09%.
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