Room‐Temperature Polarized Light‐Emitting Diode‐Based on a 2D Monolayer Semiconductor

电致发光 材料科学 光电子学 单层 发光二极管 半导体 激子 二极管 纳米线 极化(电化学) 光发射 等离子体子 纳米技术 化学 凝聚态物理 物理 物理化学 图层(电子)
作者
Xiuqi Shi,Wenfei Li,Xinhui Lan,Qianqian Guo,Guangpeng Zhu,Wei Du,Tao Wang
出处
期刊:Small [Wiley]
卷期号:19 (43) 被引量:5
标识
DOI:10.1002/smll.202301949
摘要

Transition metal dichalcogenide (TMD)-based 2D monolayer semiconductors, with the direct bandgap and the large exciton binding energy, are widely studied to develop miniaturized optoelectronic devices, e.g., nanoscale light-emitting diodes (LEDs). However, in terms of polarization control, it is still quite challenging to realize polarized electroluminescence (EL) from TMD monolayers, especially at room temperature. Here, by using Ag nanowire top electrode, polarized LEDs are demonstrated based on 2D monolayer semiconductors (WSe2 , MoSe2 , and WS2 ) at room temperature with a degree of polarization (DoP) ranging from 50% to 63%. The highly anisotropic EL emission comes from the 2D/Ag interface via the electron/hole injection and recombination process, where the EL emission is also enhanced by the polarization-dependent plasmonic resonance of the Ag nanowire. These findings introduce new insights into the design of polarized 2D LED devices at room temperature and may promote the development of miniaturized 2D optoelectronic devices.
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