Molybdenum(III) Amidinate: Synthesis, Characterization, and Vapor Phase Growth of Mo-Based Materials

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作者
Thomas E. Shaw,Zahra Ali,Taylor M. Currie,S. Novia Berriel,Brian Butkus,J. Tyler Wagner,Konstantin Preradovic,Glenn P. A. Yap,Jennifer C. Green,Parag Banerjee,Alfred P. Sattelberger,Lisa McElwee‐White,Titel Jurca
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:15 (29): 35590-35599 被引量:1
标识
DOI:10.1021/acsami.3c04074
摘要

The synthesis, characterization, and thermogravimetric analysis of tris(N,N'-di-isopropylacetamidinate)molybdenum(III), Mo(iPr-AMD)3, are reported. Mo(iPr-AMD)3 is a rare example of a homoleptic mononuclear complex of molybdenum(III) and fills a longstanding gap in the literature of transition metal(III) trisamidinate complexes. Thermogravimetric analysis (TGA) reveals excellent volatilization at elevated temperatures, pointing to potential applications as a vapor phase precursor for higher temperature atomic layer deposition (ALD), or chemical vapor deposition (CVD) growth of Mo-based materials. The measured TGA temperature window was 200-314 °C for samples in the 3-20 mg range. To validate the utility of Mo(iPr-AMD)3, we demonstrate aerosol-assisted CVD growth of MoO3 from benzonitrile solutions of Mo(iPr-AMD)3 at 500 °C using compressed air as the carrier gas. The resulting films are characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction, and Raman spectroscopy. We further demonstrate the potential for ALD growth at 200 °C with a Mo(iPr-AMD)3/Ar purge/300 W O2 plasma/Ar purge sequence, yielding ultrathin films which retain a nitride/oxynitride component. Our results highlight the broad scope utility and potential of Mo(iPr-AMD)3 as a stable, high-temperature precursor for both CVD and ALD processes.

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