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On the structural, dielectric, piezoelectric, and energy storage behavior of polyvinylidene fluoride (PVDF) thick film: Role of annealing temperature

聚偏氟乙烯 电介质 材料科学 退火(玻璃) 压电 拉曼光谱 复合材料 傅里叶变换红外光谱 储能 压电系数 介电损耗 光电子学 光学 聚合物 热力学 功率(物理) 物理
作者
Nitin Jaglan,Poonam Uniyal
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:132 (22) 被引量:12
标识
DOI:10.1063/5.0123674
摘要

The optimization of the processing condition of polyvinylidene fluoride (PVDF) plays a pivotal role in determining the structural, dielectric, and energy storage behavior. The present work addresses the effect of annealing on the structural, dielectric, piezoelectric, and energy storage behavior of the PVDF thick film. X-ray diffractogram/Fourier transform infrared spectroscopy/RAMAN reveals the enhancement in the β crystalline phase of PVDF with annealing temperature which is highest for the film annealed at 110 °C. The film annealed at 110 °C exhibited the dielectric constant, dielectric loss, and piezoelectric coefficient as 14.02, 0.05 at 100 Hz and 24 pC/N, respectively. A systematic enhancement of 21% in dielectric constant, 46% in discharge energy density, and 87% in piezoelectric coefficient is reported for the PVDF film annealed at 110 °C as compared to the film annealed at 50 °C. The enhancement in dielectric and energy storage properties is attributed to the alignment of CH2–CF2 by virtue of molecular motion in the PVDF chain. This work suggests the adaptation of annealing for modifying the dielectric and energy storage behavior which is momentous for various electronic applications.
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