Ferroelectric synaptic devices based on CMOS-compatible HfAlOxfor neuromorphic and reservoir computing applications

神经形态工程学 材料科学 CMOS芯片 铁电性 纳米技术 计算机体系结构 计算机科学 光电子学 人工神经网络 人工智能 电介质
作者
Dahye Kim,Jihyung Kim,Seokyeon Yun,Jungwoo Lee,Euncho Seo,Sungjun Kim
出处
期刊:Nanoscale [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:15 (18): 8366-8376 被引量:8
标识
DOI:10.1039/d3nr01294h
摘要

The hafnium oxide-based ferroelectric tunnel junction (FTJ) has been actively researched because of desirable advantages such as low power and CMOS compatibility to operate as a memristor.
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