Gate-induced quantum-confinement transition of a single dopant atom in a silicon FinFET

Atom(片上系统) 物理 晶体管 掺杂剂 量子点 量子 原子物理学 原子单位 电子 纳米技术 光电子学 兴奋剂 材料科学 量子力学 嵌入式系统 电压 计算机科学
作者
G. P. Lansbergen,Rajib Rahman,Cameron Wellard,Insoo Woo,J. Caro,N. Collaert,S. Biesemans,Gerhard Klimeck,Lloyd C. L. Hollenberg,Sven Rogge
出处
期刊:Nature Physics [Springer Nature]
卷期号:4 (8): 656-661 被引量:293
标识
DOI:10.1038/nphys994
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