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作者
J. Joshua Yang,John Paul Strachan,Qiangfei Xia,Douglas A. A. Ohlberg,Philip J. Kuekes,Ronald D. Kelley,William F. Stickle,Duncan R. Stewart,G. Medeiros‐Ribeiro,R. Stanley Williams
标识
DOI：10.1002/adma.201000663
摘要
Thermal diffusion of Ti through Pt electrode forms Ti atom channels of 1 nm diameter along Pt grain boundaries, seeding switching centers and controlling nanoscale memristive switching. The image shows EFTEM maps of Ti overlaid on HRTEM images for a Si/SiO2 100 nm/Ti 5nm/Pt 15 nm sample in-situ annealed in ultrahigh vacuum at 250 °C for 1 hour.
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