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A Dirac-semimetal two-dimensional BeN4: Thickness-dependent electronic and optical properties

单层 半金属 双层 凝聚态物理 材料科学 电子结构 电子能带结构 价(化学) 带隙 光电子学 纳米技术 化学 物理 生物化学 有机化学
作者
A. Bafekry,Catherine Stampfl,Mehrdad Faraji,M. Yagmurcukardes,Mohamed M. Fadlallah,Hamad Rahman Jappor,Mitra Ghergherehchi,S. A. H. Feghhi
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:118 (20) 被引量:77
标识
DOI:10.1063/5.0051878
摘要

Motivated by the recent experimental realization of a two-dimensional (2D) BeN4 monolayer, in this study we investigate the structural, dynamical, electronic, and optical properties of a monolayer and few-layer BeN4 using first-principles calculations. The calculated phonon band dispersion reveals the dynamical stability of a free-standing BeN4 layer, while the cohesive energy indicates the energetic feasibility of the material. Electronic band dispersions show that monolayer BeN4 is a semi-metal whose conduction and valence bands touch each other at the Σ point. Our results reveal that increasing the layer number from single to six-layers tunes the electronic nature of BeN4. While monolayer and bilayer structures display a semi-metallic behavior, structures thicker than that of three-layers exhibit a metallic nature. Moreover, the optical parameters calculated for monolayer and bilayer structures reveal that the bilayer can absorb visible light in the ultraviolet and visible regions better than the monolayer structure. Our study investigates the electronic properties of Dirac-semimetal BeN4 that can be an important candidate for applications in nanoelectronic and optoelectronic.
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