Growth of N‐Polar Aluminum Nitride on Vicinal Sapphire Substrates and Aluminum Nitride Bulk Substrates

蓝宝石 材料科学 氮化物 结晶度 方向错误 外延 邻接 氮化铝 图层(电子) 基质(水族馆) 金属有机气相外延 光电子学 平坦度(宇宙学) 矿物学 光学 复合材料 微观结构 化学 激光器 晶界 物理 海洋学 有机化学 宇宙学 量子力学 地质学
作者
Tatsuya Isono,Tadatoshi Ito,Ryota Sakamoto,Yongzhao Yao,Yukari Ishikawa,Narihito Okada,Kazuyuki Tadatomo
出处
期刊:Physica Status Solidi B-basic Solid State Physics [Wiley]
卷期号:257 (4) 被引量:20
标识
DOI:10.1002/pssb.201900588
摘要

Herein, nitrogen‐polar (N‐polar, (000‐1)) aluminum nitride (AlN) is grown on sapphire substrates with various misorientation angles through metal‐organic vapor phase epitaxy. Moreover, the effect of the sapphire substrates’ misorientation angle on the surface flatness and the crystal quality of N‐polar AlN is studied. The results demonstrate that the surface flatness of the AlN layer improves as the misorientation angle of the sapphire substrates increases. Further, the root mean square of the AlN layer significantly improves to a maximum of 1 nm, in the range of the misorientation angles between 2° and 4°, as compared with the misorientation angle of 0.2° of a conventional substrate. No deterioration in crystallinity is confirmed when an AlN layer is grown on an N‐polar AlN substrate under the same growth conditions as those for the sapphire substrates.
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