Molybdenum Disulfide: Photodriven Transient Picosecond Top‐Layer Semiconductor to Metal Phase‐Transition in p‐Doped Molybdenum Disulfide (Adv. Mater. 14/2021)

材料科学 三氧化钼 兴奋剂 二硫化钼 皮秒 半导体 过渡金属 图层(电子) 光电子学 纳米技术 光学 冶金 化学 有机化学 激光器 物理 催化作用
作者
Nomi L. A. N. Sorgenfrei,Erika Giangrisostomi,Raphael M. Jay,Danilo Kühn,Stefan Neppl,Ruslan Ovsyannikov,Hikmet Sezen,S. Svensson,Alexander Föhlisch
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:33 (14) 被引量:2
标识
DOI:10.1002/adma.202170108
摘要

In article number 2006957, Nomi L. A. N. Sorgenfrei and co-workers demonstrate that a weak optical excitation creates electrons in the conduction band of p-doped semiconducting molybdenum disulfide, which travel toward the surface layer. They accumulate in the top layer and concomitantly drive it from the semiconducting toward the metallic phase. The selectivity of synchrotron time-resolved electron spectroscopy traces this effect. This surface modification influences the properties and functionality of MoS2. Frontispiece Art: Martin Künsting.

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