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作者
S. H. Lau,Sheraz Gul,Guibin Zan,D. J. Vine,Sylvia Lewis,Wenbing Yun
标识
DOI:10.31399/asm.edfa.2020-3.p018
摘要
Abstract Modified Talbot X-ray interferometry provides three contrast modes simultaneously: absorption, phase, and dark field/scattering. This article describes the powerful new imaging technique and shows how it is used to characterize various types of defects in advanced semiconductor packages.
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