Ultrafast Negative Capacitance Transition for 2D Ferroelectric MoS2/Graphene Transistor

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作者
Debottam Daw,Houcine Bouzid,Moonyoung Jung,Dongseok Suh,Chandan Biswas,Young Hee Lee
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:36 (13) 被引量:6
标识
DOI:10.1002/adma.202304338
摘要

Negative capacitance gives rise to subthreshold swing (SS) below the fundamental limit by efficient modulation of surface potential in transistors. While negative-capacitance transition is reported in polycrystalline Pb(Zr
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