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作者
Xiao Hu,Dingyi Wu,Daigao Chen,Y. Liu,Honggang Zhang,Liwei Yang,Jia Liu,Min Liu,Lei Xu,Lei Wang,Xi Xiao,Shaohua Yu
标识
DOI：10.1364/ofc.2023.th4a.3
摘要
We developed a Ge/Si electro-absorption modulator with a record-high 3-dB bandwidth beyond 110 GHz. 224, 240 and 280 Gbit/s PAM-4 eye diagrams with the TDECQ of 1.79, 2.35 and 3.33 dB are experimentally obtained, respectively.
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